IRL5602SPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRL5602SPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IRL5602SPBF
IRL5602SPBF Datasheet (PDF)
irl5602spbf.pdf

PD- 95099IRL5602SPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = -20Vl 175C Operating Temperaturel P-ChannelRDS(on) = 0.042l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = -24Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve extremely low on-resist
irl5602s.pdf

PD- 91888IRL5602SHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = -20Vl 175C Operating Temperaturel P-ChannelRDS(on) = 0.042Wl Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = -24ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon a
Другие MOSFET... IRL6342PBF , IRL640PBF , IRL640SPBF , IRL5NJ024 , IRL5NJ7404 , IRL5NJ7413 , IRL5Y024CM , IRL5Y7413CM , 20N60 , IRL510PBF , IRL510S , IRL510SPBF , IRL520L , IRL520LPBF , IRL520NLPBF , IRL520NPBF , IRL520NSPBF .
History: TJ15S10M3 | STI24NM60N
History: TJ15S10M3 | STI24NM60N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h