IRFN450 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFN450

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 190 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.415 Ohm

Encapsulados: SMD1

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IRFN450 datasheet

 ..1. Size:182K  international rectifier
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IRFN450

PD - 90418C IRFN450 JANTX2N7228U JANTXV2N7228U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/592 SURFACE MOUNT(SMD-1) 500V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN450 0.415 12A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.1. Size:181K  international rectifier
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IRFN450

PD - 91552C IRFN440 JANTX2N7222U JANTXV2N7222U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/596 SURFACE MOUNT(SMD-1) 500V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN440 0.85 8.0A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

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