Справочник MOSFET. IRFN450

 

IRFN450 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFN450
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 190(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.415 Ohm
   Тип корпуса: SMD1

 Аналог (замена) для IRFN450

 

 

IRFN450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  international rectifier
 irfn450.pdf

IRFN450 IRFN450

PD - 90418CIRFN450JANTX2N7228UJANTXV2N7228UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/592SURFACE MOUNT(SMD-1) 500V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN450 0.415 12AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.1. Size:181K  international rectifier
 irfn440.pdf

IRFN450 IRFN450

PD - 91552CIRFN440JANTX2N7222UJANTXV2N7222UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/596SURFACE MOUNT(SMD-1) 500V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN440 0.85 8.0AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-

Другие MOSFET... IRFN130 , IRFN140 , IRFN150 , IRFN240 , IRFN250 , IRFN340 , IRFN350 , IRFN440 , K2611 , IRFN9130 , IRFN9130SMD , IRFN9140 , IRFN9140SMD , IRFN9240 , IRFP044 , IRFP044N , IRFP048 .

 

 
Back to Top