IRFN450. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFN450

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.415 Ohm

Тип корпуса: SMD1

Аналог (замена) для IRFN450

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFN450 даташит

 ..1. Size:182K  international rectifier
 irfn450.pdf pdf_icon

IRFN450

PD - 90418C IRFN450 JANTX2N7228U JANTXV2N7228U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/592 SURFACE MOUNT(SMD-1) 500V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN450 0.415 12A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.1. Size:181K  international rectifier
 irfn440.pdf pdf_icon

IRFN450

PD - 91552C IRFN440 JANTX2N7222U JANTXV2N7222U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/596 SURFACE MOUNT(SMD-1) 500V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN440 0.85 8.0A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

Другие IGBT... IRFN130, IRFN140, IRFN150, IRFN240, IRFN250, IRFN340, IRFN350, IRFN440, 10N65, IRFN9130, IRFN9130SMD, IRFN9140, IRFN9140SMD, IRFN9240, IRFP044, IRFP044N, IRFP048