IRFN9130 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFN9130 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFN9130

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: SMD1

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IRFN9130 datasheet

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IRFN9130 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET FOR HI REL APPLICATIONS VDSS -100V ID(cont) -11A RDS(on) 0.3 FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE

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irfn9130smd.pdf pdf_icon

IRFN9130SMD MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET FOR HI REL APPLICATIONS VDSS -100V ID(cont) -9.3A RDS(on) 0.31 FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

0.2. Size:21K semelab
irfn9130smd05.pdf pdf_icon

IRF9130SMD05N IRFN9130SMD05 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET FOR HI REL APPLICATIONS VDSS -100V ID(cont) -8A RDS(on) 0.35 FEATURES HERMETICALLY SEALED

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irfn9140smd.pdf pdf_icon

IRFN9140SMD MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 14A RDS(on) 0.020 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

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