IRFN9130 Todos los transistores

 

IRFN9130 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFN9130
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 140(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD1
 

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IRFN9130 Datasheet (PDF)

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IRFN9130

IRFN9130MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -11A RDS(on) 0.3FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE

 0.1. Size:21K  1
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IRFN9130

IRFN9130SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -9.3A RDS(on) 0.31FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 0.2. Size:21K  semelab
 irfn9130smd05.pdf pdf_icon

IRFN9130

IRF9130SMD05NIRFN9130SMD05MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -8A RDS(on) 0.35FEATURES HERMETICALLY SEALED

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IRFN9130

IRFN9140SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 14A RDS(on) 0.020FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

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History: IRFD420 | 2N7012 | FQD2N90 | AON7405 | LIRFZ44N

 

 
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