Справочник MOSFET. IRFN9130

 

IRFN9130 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFN9130
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 140(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SMD1
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFN9130 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:21K  1
 irfn9130.pdf pdf_icon

IRFN9130

IRFN9130MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -11A RDS(on) 0.3FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE

 0.1. Size:21K  1
 irfn9130smd.pdf pdf_icon

IRFN9130

IRFN9130SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -9.3A RDS(on) 0.31FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 0.2. Size:21K  semelab
 irfn9130smd05.pdf pdf_icon

IRFN9130

IRF9130SMD05NIRFN9130SMD05MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -8A RDS(on) 0.35FEATURES HERMETICALLY SEALED

 8.1. Size:23K  1
 irfn9140smd.pdf pdf_icon

IRFN9130

IRFN9140SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 14A RDS(on) 0.020FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFN140 , IRFN150 , IRFN240 , IRFN250 , IRFN340 , IRFN350 , IRFN440 , IRFN450 , 2N60 , IRFN9130SMD , IRFN9140 , IRFN9140SMD , IRFN9240 , IRFP044 , IRFP044N , IRFP048 , IRFP048N .

History: TPCT4202 | IPF135N03LG | JFFC13N65C | AP01L60H-A-HF | AM2300 | 2SK1303 | MDP12N50TH

 

 
Back to Top

 


 
.