IRFN9130. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFN9130

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SMD1

Аналог (замена) для IRFN9130

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFN9130 даташит

 ..1. Size:21K  1
 irfn9130.pdf pdf_icon

IRFN9130

IRFN9130 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET FOR HI REL APPLICATIONS VDSS -100V ID(cont) -11A RDS(on) 0.3 FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE

 0.1. Size:21K  1
 irfn9130smd.pdf pdf_icon

IRFN9130

IRFN9130SMD MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET FOR HI REL APPLICATIONS VDSS -100V ID(cont) -9.3A RDS(on) 0.31 FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 0.2. Size:21K  semelab
 irfn9130smd05.pdf pdf_icon

IRFN9130

IRF9130SMD05N IRFN9130SMD05 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET FOR HI REL APPLICATIONS VDSS -100V ID(cont) -8A RDS(on) 0.35 FEATURES HERMETICALLY SEALED

 8.1. Size:23K  1
 irfn9140smd.pdf pdf_icon

IRFN9130

IRFN9140SMD MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 14A RDS(on) 0.020 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFN140, IRFN150, IRFN240, IRFN250, IRFN340, IRFN350, IRFN440, IRFN450, 5N60, IRFN9130SMD, IRFN9140, IRFN9140SMD, IRFN9240, IRFP044, IRFP044N, IRFP048, IRFP048N