IRHY597034CM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHY597034CM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 575 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: TO257AA

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IRHY597034CM datasheet

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IRHY597034CM

PD - 94663A RADIATION HARDENED IRHY597034CM POWER MOSFET 60V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY597034CM 100K Rads (Si) 0.095 -18A* IRHY593034CM 300K Rads (Si) 0.095 -18A* T0-257AA International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space Features applica

 7.1. Size:533K  international rectifier
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IRHY597034CM

The documentation and process conversion measures INCH-POUND necessary to comply with this revision shall be completed by 18 September 2014 MIL-PRF-19500/712E 18 July 2014 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/712D 8 April 2014 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED TRANSISTORS, P-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7545U3, 2N7546U3, 2N7547T3,

 7.2. Size:107K  international rectifier
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IRHY597034CM

PD - 94343 RADIATION HARDENED IRHY597130CM POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY597130CM 100K Rads (Si) 0.215 -12.5A IRHY593130CM 300K Rads (Si) 0.215 -12.5A T0-257AA International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space appli- cations. Th

 7.3. Size:107K  international rectifier
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IRHY597034CM

PD - 94319A RADIATION HARDENED IRHY597230CM POWER MOSFET 200V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY597230CM 100K Rads (Si) 0.515 -8.0A IRHY593230CM 300K Rads (Si) 0.515 -8.0A T0-257AA International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space appli- cations. The

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