IRHY597034CM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRHY597034CM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 575 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: TO257AA
Аналог (замена) для IRHY597034CM
IRHY597034CM Datasheet (PDF)
irhy597034cm.pdf
PD - 94663ARADIATION HARDENED IRHY597034CMPOWER MOSFET60V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY597034CM 100K Rads (Si) 0.095 -18A* IRHY593034CM 300K Rads (Si) 0.095 -18A*T0-257AAInternational Rectifiers R5TM technology provideshigh performance power MOSFETs for spaceFeatures:applica
irhy597130cm irhy597230cm.pdf
The documentation and process conversion measures INCH-POUND necessary to comply with this revision shall be completed by 18 September 2014 MIL-PRF-19500/712E 18 July 2014 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/712D 8 April 2014 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED TRANSISTORS, P-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7545U3, 2N7546U3, 2N7547T3,
irhy597130cm.pdf
PD - 94343RADIATION HARDENED IRHY597130CMPOWER MOSFET100V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) TECHNOLOGY44# cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY597130CM 100K Rads (Si) 0.215 -12.5A IRHY593130CM 300K Rads (Si) 0.215 -12.5AT0-257AAInternational Rectifiers R5TM technology provideshigh performance power MOSFETs for space appli-cations. Th
irhy597230cm.pdf
PD - 94319ARADIATION HARDENED IRHY597230CMPOWER MOSFET200V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) TECHNOLOGY44# cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY597230CM 100K Rads (Si) 0.515 -8.0A IRHY593230CM 300K Rads (Si) 0.515 -8.0AT0-257AAInternational Rectifiers R5TM technology provideshigh performance power MOSFETs for space appli-cations. The
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918