IRHY597034CM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHY597034CM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 575 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для IRHY597034CM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHY597034CM даташит

 ..1. Size:204K  international rectifier
 irhy597034cm.pdf pdf_icon

IRHY597034CM

PD - 94663A RADIATION HARDENED IRHY597034CM POWER MOSFET 60V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY597034CM 100K Rads (Si) 0.095 -18A* IRHY593034CM 300K Rads (Si) 0.095 -18A* T0-257AA International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space Features applica

 7.1. Size:533K  international rectifier
 irhy597130cm irhy597230cm.pdf pdf_icon

IRHY597034CM

The documentation and process conversion measures INCH-POUND necessary to comply with this revision shall be completed by 18 September 2014 MIL-PRF-19500/712E 18 July 2014 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/712D 8 April 2014 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED TRANSISTORS, P-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7545U3, 2N7546U3, 2N7547T3,

 7.2. Size:107K  international rectifier
 irhy597130cm.pdf pdf_icon

IRHY597034CM

PD - 94343 RADIATION HARDENED IRHY597130CM POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY597130CM 100K Rads (Si) 0.215 -12.5A IRHY593130CM 300K Rads (Si) 0.215 -12.5A T0-257AA International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space appli- cations. Th

 7.3. Size:107K  international rectifier
 irhy597230cm.pdf pdf_icon

IRHY597034CM

PD - 94319A RADIATION HARDENED IRHY597230CM POWER MOSFET 200V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY597230CM 100K Rads (Si) 0.515 -8.0A IRHY593230CM 300K Rads (Si) 0.515 -8.0A T0-257AA International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space appli- cations. The

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRL3303PBF, IRL3303SPBF, IRHY57034CM, IRHY57130CM, IRHY57133CMSE, IRHY57230CMSE, IRHY57234CMSE, IRHY57Z30CM, 20N60, IRHY597130CM, IRHY597230CM, IRHY67434CM, IRHY67C30CM, IRHY7130CM, IRHY7230CM, IRHY9130CM, IRHY9230CM