IRHY67C30CM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRHY67C30CM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHY67C30CM

IRHY67C30CM Datasheet (PDF)

..1. Size:198K international rectifier
irhy67c30cm.pdf

PD-95837A2N7599T3IRHY67C30CMRADIATION HARDENED600V, N-CHANNELPOWER MOSFETTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY67C30CM 100K Rads (Si) 3.0 3.4A IRHY63C30CM 300K Rads (Si) 3.0 3.4AInternational Rectifiers R6TM technology providesTO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.These devices have improve

8.1. Size:194K international rectifier
irhy67434cm.pdf

PD-97805IRHY67434CMRADIATION HARDENED550V, N-CHANNELPOWER MOSFETTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY67434CM 100K Rads (Si) 3.0 3.4A IRHY63434CM 300K Rads (Si) 3.0 3.4AInternational Rectifiers R6TM technology providesTO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.These devices have improved immunity

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Liste

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