IRHY67C30CM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHY67C30CM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO257AA

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IRHY67C30CM datasheet

 ..1. Size:198K  international rectifier
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IRHY67C30CM

PD-95837A 2N7599T3 IRHY67C30CM RADIATION HARDENED 600V, N-CHANNEL POWER MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-257AA) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY67C30CM 100K Rads (Si) 3.0 3.4A IRHY63C30CM 300K Rads (Si) 3.0 3.4A International Rectifier s R6TM technology provides TO-257AA superior power MOSFETs for space applications. These devices have improve

 8.1. Size:194K  international rectifier
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IRHY67C30CM

PD-97805 IRHY67434CM RADIATION HARDENED 550V, N-CHANNEL POWER MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-257AA) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY67434CM 100K Rads (Si) 3.0 3.4A IRHY63434CM 300K Rads (Si) 3.0 3.4A International Rectifier s R6TM technology provides TO-257AA superior power MOSFETs for space applications. These devices have improved immunity

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