Справочник MOSFET. IRHY67C30CM

 

IRHY67C30CM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHY67C30CM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA
 

 Аналог (замена) для IRHY67C30CM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHY67C30CM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  international rectifier
 irhy67c30cm.pdf pdf_icon

IRHY67C30CM

PD-95837A2N7599T3IRHY67C30CMRADIATION HARDENED600V, N-CHANNELPOWER MOSFETTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY67C30CM 100K Rads (Si) 3.0 3.4A IRHY63C30CM 300K Rads (Si) 3.0 3.4AInternational Rectifiers R6TM technology providesTO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.These devices have improve

 8.1. Size:194K  international rectifier
 irhy67434cm.pdf pdf_icon

IRHY67C30CM

PD-97805IRHY67434CMRADIATION HARDENED550V, N-CHANNELPOWER MOSFETTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY67434CM 100K Rads (Si) 3.0 3.4A IRHY63434CM 300K Rads (Si) 3.0 3.4AInternational Rectifiers R6TM technology providesTO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.These devices have improved immunity

Другие MOSFET... IRHY57133CMSE , IRHY57230CMSE , IRHY57234CMSE , IRHY57Z30CM , IRHY597034CM , IRHY597130CM , IRHY597230CM , IRHY67434CM , IRF640 , IRHY7130CM , IRHY7230CM , IRHY9130CM , IRHY9230CM , IRHYB597034CM , IRHYB597Z30CM , IRHYB67130CM , IRHYB67134CM .

History: WML13N80M3 | SI4925BDY | SSW20N60S | IRF543FI | SI4914DY | MTE130N20J3

 

 
Back to Top

 


 
.