IRHY67C30CM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHY67C30CM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для IRHY67C30CM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHY67C30CM даташит

 ..1. Size:198K  international rectifier
 irhy67c30cm.pdf pdf_icon

IRHY67C30CM

PD-95837A 2N7599T3 IRHY67C30CM RADIATION HARDENED 600V, N-CHANNEL POWER MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-257AA) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY67C30CM 100K Rads (Si) 3.0 3.4A IRHY63C30CM 300K Rads (Si) 3.0 3.4A International Rectifier s R6TM technology provides TO-257AA superior power MOSFETs for space applications. These devices have improve

 8.1. Size:194K  international rectifier
 irhy67434cm.pdf pdf_icon

IRHY67C30CM

PD-97805 IRHY67434CM RADIATION HARDENED 550V, N-CHANNEL POWER MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-257AA) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY67434CM 100K Rads (Si) 3.0 3.4A IRHY63434CM 300K Rads (Si) 3.0 3.4A International Rectifier s R6TM technology provides TO-257AA superior power MOSFETs for space applications. These devices have improved immunity

Другие IGBT... IRHY57133CMSE, IRHY57230CMSE, IRHY57234CMSE, IRHY57Z30CM, IRHY597034CM, IRHY597130CM, IRHY597230CM, IRHY67434CM, IRFP460, IRHY7130CM, IRHY7230CM, IRHY9130CM, IRHY9230CM, IRHYB597034CM, IRHYB597Z30CM, IRHYB67130CM, IRHYB67134CM