IRHY67C30CM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRHY67C30CM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 7.5 ns
Выходная емкость (Cd): 79 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm
Тип корпуса: TO257AA
Аналог (замена) для IRHY67C30CM
IRHY67C30CM Datasheet (PDF)
irhy67c30cm.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD-95837A2N7599T3IRHY67C30CMRADIATION HARDENED600V, N-CHANNELPOWER MOSFETTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY67C30CM 100K Rads (Si) 3.0 3.4A IRHY63C30CM 300K Rads (Si) 3.0 3.4AInternational Rectifiers R6TM technology providesTO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.These devices have improve
irhy67434cm.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD-97805IRHY67434CMRADIATION HARDENED550V, N-CHANNELPOWER MOSFETTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY67434CM 100K Rads (Si) 3.0 3.4A IRHY63434CM 300K Rads (Si) 3.0 3.4AInternational Rectifiers R6TM technology providesTO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.These devices have improved immunity
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .