IRHYB67134CM Todos los transistores

 

IRHYB67134CM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHYB67134CM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRHYB67134CM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  international rectifier
 irhyb67134cm.pdf pdf_icon

IRHYB67134CM

PD-96997ARADIATION HARDENED IRHYB67134CMPOWER MOSFET 150V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67134CM 100K Rads (Si) 0.090 19A IRHYB63134CM 300K Rads (Si) 0.090 19ALow-OhmicTO-257AA TablessInternational Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.These

 5.1. Size:184K  international rectifier
 irhyb67130cm.pdf pdf_icon

IRHYB67134CM

PD-95841BRADIATION HARDENED IRHYB67130CMPOWER MOSFET 100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67130CM 100K Rads (Si) 0.042 20A* IRHYB63130CM 300K Rads (Si) 0.042 20A*Low-OhmicTO-257AA TablessInternational Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.The

 7.1. Size:190K  international rectifier
 irhyb67230cm.pdf pdf_icon

IRHYB67134CM

PD-95818DRADIATION HARDENED IRHYB67230CMPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67230CM 100K Rads (Si) 0.13 16A IRHYB63230CM 300K Rads (Si) 0.13 16ALow-OhmicTO-257AA TablessInternational Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.These d

 9.1. Size:191K  international rectifier
 irhyb597034cm.pdf pdf_icon

IRHYB67134CM

PD-97000RADIATION HARDENED IRHYB597034CMPOWER MOSFET60V, P-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB597034CM 100K Rads (Si) 0.087 -20A IRHYB593034CM 300K Rads (Si) 0.087 -20ALow-OhmicTO-257AA (Tab-less)International Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance

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History: AP98T03GP | HCS80R1K4ST

 

 
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