IRHYB67134CM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHYB67134CM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: TO257AA

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IRHYB67134CM datasheet

 ..1. Size:188K  international rectifier
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IRHYB67134CM

PD-96997A RADIATION HARDENED IRHYB67134CM POWER MOSFET 150V, N-CHANNEL THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67134CM 100K Rads (Si) 0.090 19A IRHYB63134CM 300K Rads (Si) 0.090 19A Low-Ohmic TO-257AA Tabless International Rectifier s R6TM technology provides superior power MOSFETs for space applications. These

 5.1. Size:184K  international rectifier
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IRHYB67134CM

PD-95841B RADIATION HARDENED IRHYB67130CM POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67130CM 100K Rads (Si) 0.042 20A* IRHYB63130CM 300K Rads (Si) 0.042 20A* Low-Ohmic TO-257AA Tabless International Rectifier s R6TM technology provides superior power MOSFETs for space applications. The

 7.1. Size:190K  international rectifier
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IRHYB67134CM

PD-95818D RADIATION HARDENED IRHYB67230CM POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67230CM 100K Rads (Si) 0.13 16A IRHYB63230CM 300K Rads (Si) 0.13 16A Low-Ohmic TO-257AA Tabless International Rectifier s R6TM technology provides superior power MOSFETs for space applications. These d

 9.1. Size:191K  international rectifier
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IRHYB67134CM

PD-97000 RADIATION HARDENED IRHYB597034CM POWER MOSFET 60V, P-CHANNEL THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB597034CM 100K Rads (Si) 0.087 -20A IRHYB593034CM 300K Rads (Si) 0.087 -20A Low-Ohmic TO-257AA (Tab-less) International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance

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