Справочник MOSFET. IRHYB67134CM

 

IRHYB67134CM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRHYB67134CM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA

 Аналог (замена) для IRHYB67134CM

 

 

IRHYB67134CM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  international rectifier
 irhyb67134cm.pdf

IRHYB67134CM IRHYB67134CM

PD-96997ARADIATION HARDENED IRHYB67134CMPOWER MOSFET 150V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67134CM 100K Rads (Si) 0.090 19A IRHYB63134CM 300K Rads (Si) 0.090 19ALow-OhmicTO-257AA TablessInternational Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.These

 5.1. Size:184K  international rectifier
 irhyb67130cm.pdf

IRHYB67134CM IRHYB67134CM

PD-95841BRADIATION HARDENED IRHYB67130CMPOWER MOSFET 100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67130CM 100K Rads (Si) 0.042 20A* IRHYB63130CM 300K Rads (Si) 0.042 20A*Low-OhmicTO-257AA TablessInternational Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.The

 7.1. Size:190K  international rectifier
 irhyb67230cm.pdf

IRHYB67134CM IRHYB67134CM

PD-95818DRADIATION HARDENED IRHYB67230CMPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67230CM 100K Rads (Si) 0.13 16A IRHYB63230CM 300K Rads (Si) 0.13 16ALow-OhmicTO-257AA TablessInternational Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.These d

 9.1. Size:191K  international rectifier
 irhyb597034cm.pdf

IRHYB67134CM IRHYB67134CM

PD-97000RADIATION HARDENED IRHYB597034CMPOWER MOSFET60V, P-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB597034CM 100K Rads (Si) 0.087 -20A IRHYB593034CM 300K Rads (Si) 0.087 -20ALow-OhmicTO-257AA (Tab-less)International Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance

 9.2. Size:181K  international rectifier
 irhyb597z30cm.pdf

IRHYB67134CM IRHYB67134CM

PD - 95819RADIATION HARDENED IRHYB597Z30CMPOWER MOSFET30V, P-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB597Z30CM 100K Rads (Si) 0.048 -20A* IRHYB593Z30CM 300K Rads (Si) 0.048 -20A*Low-OhmicTO-257AA TablessInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top