IRHYB67230CM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRHYB67230CM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 206 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHYB67230CM

IRHYB67230CM Datasheet (PDF)

..1. Size:190K international rectifier
irhyb67230cm.pdf

PD-95818DRADIATION HARDENED IRHYB67230CMPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67230CM 100K Rads (Si) 0.13 16A IRHYB63230CM 300K Rads (Si) 0.13 16ALow-OhmicTO-257AA TablessInternational Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.These d

7.1. Size:184K international rectifier
irhyb67130cm.pdf

PD-95841BRADIATION HARDENED IRHYB67130CMPOWER MOSFET 100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67130CM 100K Rads (Si) 0.042 20A* IRHYB63130CM 300K Rads (Si) 0.042 20A*Low-OhmicTO-257AA TablessInternational Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.The

7.2. Size:188K international rectifier
irhyb67134cm.pdf

PD-96997ARADIATION HARDENED IRHYB67134CMPOWER MOSFET 150V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67134CM 100K Rads (Si) 0.090 19A IRHYB63134CM 300K Rads (Si) 0.090 19ALow-OhmicTO-257AA TablessInternational Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.These

9.1. Size:191K international rectifier
irhyb597034cm.pdf

PD-97000RADIATION HARDENED IRHYB597034CMPOWER MOSFET60V, P-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB597034CM 100K Rads (Si) 0.087 -20A IRHYB593034CM 300K Rads (Si) 0.087 -20ALow-OhmicTO-257AA (Tab-less)International Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance

9.2. Size:181K international rectifier
irhyb597z30cm.pdf

PD - 95819RADIATION HARDENED IRHYB597Z30CMPOWER MOSFET30V, P-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB597Z30CM 100K Rads (Si) 0.048 -20A* IRHYB593Z30CM 300K Rads (Si) 0.048 -20A*Low-OhmicTO-257AA TablessInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: