IRHYB67230CM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHYB67230CM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 206 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для IRHYB67230CM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHYB67230CM даташит

 ..1. Size:190K  international rectifier
 irhyb67230cm.pdf pdf_icon

IRHYB67230CM

PD-95818D RADIATION HARDENED IRHYB67230CM POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67230CM 100K Rads (Si) 0.13 16A IRHYB63230CM 300K Rads (Si) 0.13 16A Low-Ohmic TO-257AA Tabless International Rectifier s R6TM technology provides superior power MOSFETs for space applications. These d

 7.1. Size:184K  international rectifier
 irhyb67130cm.pdf pdf_icon

IRHYB67230CM

PD-95841B RADIATION HARDENED IRHYB67130CM POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67130CM 100K Rads (Si) 0.042 20A* IRHYB63130CM 300K Rads (Si) 0.042 20A* Low-Ohmic TO-257AA Tabless International Rectifier s R6TM technology provides superior power MOSFETs for space applications. The

 7.2. Size:188K  international rectifier
 irhyb67134cm.pdf pdf_icon

IRHYB67230CM

PD-96997A RADIATION HARDENED IRHYB67134CM POWER MOSFET 150V, N-CHANNEL THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67134CM 100K Rads (Si) 0.090 19A IRHYB63134CM 300K Rads (Si) 0.090 19A Low-Ohmic TO-257AA Tabless International Rectifier s R6TM technology provides superior power MOSFETs for space applications. These

 9.1. Size:191K  international rectifier
 irhyb597034cm.pdf pdf_icon

IRHYB67230CM

PD-97000 RADIATION HARDENED IRHYB597034CM POWER MOSFET 60V, P-CHANNEL THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB597034CM 100K Rads (Si) 0.087 -20A IRHYB593034CM 300K Rads (Si) 0.087 -20A Low-Ohmic TO-257AA (Tab-less) International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRHY7130CM, IRHY7230CM, IRHY9130CM, IRHY9230CM, IRHYB597034CM, IRHYB597Z30CM, IRHYB67130CM, IRHYB67134CM, IRFB4227, IRHYK57133CMSE, IRHYS597034CM, IRHYS597Z30CM, IRHYS67130CM, IRHYS67134CM, IRHYS67230CM, IRHYS67234CM, IRHN57250SE