IRHYK57133CMSE Todos los transistores

 

IRHYK57133CMSE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHYK57133CMSE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 130 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257AA
 

 Búsqueda de reemplazo de IRHYK57133CMSE MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRHYK57133CMSE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  international rectifier
 irhyk57133cmse.pdf pdf_icon

IRHYK57133CMSE

PD - 96898RADIATION HARDENED IRHYK57133CMSEPOWER MOSFET130V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-257AA)55 TECHNOLOGY Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYK57133CMSE 100K Rads (Si) 0.082 20ALow-OhmicTO-257AAInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Low RDS(on)applic

Otros transistores... IRHY7230CM , IRHY9130CM , IRHY9230CM , IRHYB597034CM , IRHYB597Z30CM , IRHYB67130CM , IRHYB67134CM , IRHYB67230CM , P55NF06 , IRHYS597034CM , IRHYS597Z30CM , IRHYS67130CM , IRHYS67134CM , IRHYS67230CM , IRHYS67234CM , IRHN57250SE , IRHN7054 .

History: STB60NF06-1 | SSF90R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.