IRHYK57133CMSE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHYK57133CMSE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 130 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm

Encapsulados: TO257AA

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IRHYK57133CMSE datasheet

 ..1. Size:190K  international rectifier
 irhyk57133cmse.pdf pdf_icon

IRHYK57133CMSE

PD - 96898 RADIATION HARDENED IRHYK57133CMSE POWER MOSFET 130V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-257AA) 5 5 TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYK57133CMSE 100K Rads (Si) 0.082 20A Low-Ohmic TO-257AA International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance power MOSFETs for space n Low RDS(on) applic

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