IRHYK57133CMSE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRHYK57133CMSE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 130 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257AA

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IRHYK57133CMSE Datasheet (PDF)

..1. Size:190K international rectifier
irhyk57133cmse.pdf

PD - 96898RADIATION HARDENED IRHYK57133CMSEPOWER MOSFET130V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-257AA)55 TECHNOLOGY Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYK57133CMSE 100K Rads (Si) 0.082 20ALow-OhmicTO-257AAInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Low RDS(on)applic

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History: ZXMP3F37DN8

Liste

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