IRHYK57133CMSE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHYK57133CMSE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 130 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для IRHYK57133CMSE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHYK57133CMSE даташит

 ..1. Size:190K  international rectifier
 irhyk57133cmse.pdf pdf_icon

IRHYK57133CMSE

PD - 96898 RADIATION HARDENED IRHYK57133CMSE POWER MOSFET 130V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-257AA) 5 5 TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYK57133CMSE 100K Rads (Si) 0.082 20A Low-Ohmic TO-257AA International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance power MOSFETs for space n Low RDS(on) applic

Другие IGBT... IRHY7230CM, IRHY9130CM, IRHY9230CM, IRHYB597034CM, IRHYB597Z30CM, IRHYB67130CM, IRHYB67134CM, IRHYB67230CM, IRF3710, IRHYS597034CM, IRHYS597Z30CM, IRHYS67130CM, IRHYS67134CM, IRHYS67230CM, IRHYS67234CM, IRHN57250SE, IRHN7054