Справочник MOSFET. IRHYK57133CMSE

 

IRHYK57133CMSE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRHYK57133CMSE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 130 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA

 Аналог (замена) для IRHYK57133CMSE

 

 

IRHYK57133CMSE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  international rectifier
 irhyk57133cmse.pdf

IRHYK57133CMSE IRHYK57133CMSE

PD - 96898RADIATION HARDENED IRHYK57133CMSEPOWER MOSFET130V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-257AA)55 TECHNOLOGY Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYK57133CMSE 100K Rads (Si) 0.082 20ALow-OhmicTO-257AAInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Low RDS(on)applic

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top