Справочник MOSFET. IRHYK57133CMSE

 

IRHYK57133CMSE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHYK57133CMSE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 130 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA
 

 Аналог (замена) для IRHYK57133CMSE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHYK57133CMSE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  international rectifier
 irhyk57133cmse.pdf pdf_icon

IRHYK57133CMSE

PD - 96898RADIATION HARDENED IRHYK57133CMSEPOWER MOSFET130V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-257AA)55 TECHNOLOGY Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYK57133CMSE 100K Rads (Si) 0.082 20ALow-OhmicTO-257AAInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Low RDS(on)applic

Другие MOSFET... IRHY7230CM , IRHY9130CM , IRHY9230CM , IRHYB597034CM , IRHYB597Z30CM , IRHYB67130CM , IRHYB67134CM , IRHYB67230CM , P55NF06 , IRHYS597034CM , IRHYS597Z30CM , IRHYS67130CM , IRHYS67134CM , IRHYS67230CM , IRHYS67234CM , IRHN57250SE , IRHN7054 .

 

 
Back to Top

 


 
.