IRHN57250SE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRHN57250SE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 628 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO276AB

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IRHN57250SE Datasheet (PDF)

..1. Size:175K international rectifier
irhn57250se.pdf

PD-94236CRADIATION HARDENED IRHN57250SEPOWER MOSFET200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-1) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHN57250SE 100K Rads (Si) 0.06 31ASMD-1International Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Single Event Effect (SEE) Hardenedapplications. These de

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: