IRHN57250SE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHN57250SE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 628 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TO276AB

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IRHN57250SE datasheet

 ..1. Size:175K  international rectifier
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IRHN57250SE

PD-94236C RADIATION HARDENED IRHN57250SE POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-1) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHN57250SE 100K Rads (Si) 0.06 31A SMD-1 International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance power MOSFETs for space n Single Event Effect (SEE) Hardened applications. These de

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