IRHN57250SE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHN57250SE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 628 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO276AB

Аналог (замена) для IRHN57250SE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHN57250SE даташит

 ..1. Size:175K  international rectifier
 irhn57250se.pdf pdf_icon

IRHN57250SE

PD-94236C RADIATION HARDENED IRHN57250SE POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-1) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHN57250SE 100K Rads (Si) 0.06 31A SMD-1 International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance power MOSFETs for space n Single Event Effect (SEE) Hardened applications. These de

Другие IGBT... IRHYB67230CM, IRHYK57133CMSE, IRHYS597034CM, IRHYS597Z30CM, IRHYS67130CM, IRHYS67134CM, IRHYS67230CM, IRHYS67234CM, 7N65, IRHN7054, IRHN7130, IRHN7150, IRHN7230, IRHN7250, IRHN7250SE, IRHN7450, IRHN7450SE