Справочник MOSFET. IRHN57250SE

 

IRHN57250SE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHN57250SE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 125 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 628 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO276AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHN57250SE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  international rectifier
 irhn57250se.pdf pdf_icon

IRHN57250SE

PD-94236CRADIATION HARDENED IRHN57250SEPOWER MOSFET200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-1) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHN57250SE 100K Rads (Si) 0.06 31ASMD-1International Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Single Event Effect (SEE) Hardenedapplications. These de

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STB14NK60Z | SMK0460D | IRFD24N | NTP2955 | AM4962NE | PMN70XPE | LR024N

 

 
Back to Top

 


 
.