Справочник MOSFET. IRHN57250SE

 

IRHN57250SE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHN57250SE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 628 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO276AB
 

 Аналог (замена) для IRHN57250SE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHN57250SE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  international rectifier
 irhn57250se.pdf pdf_icon

IRHN57250SE

PD-94236CRADIATION HARDENED IRHN57250SEPOWER MOSFET200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-1) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHN57250SE 100K Rads (Si) 0.06 31ASMD-1International Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Single Event Effect (SEE) Hardenedapplications. These de

Другие MOSFET... IRHYB67230CM , IRHYK57133CMSE , IRHYS597034CM , IRHYS597Z30CM , IRHYS67130CM , IRHYS67134CM , IRHYS67230CM , IRHYS67234CM , STP75NF75 , IRHN7054 , IRHN7130 , IRHN7150 , IRHN7230 , IRHN7250 , IRHN7250SE , IRHN7450 , IRHN7450SE .

History: TK16G60W | FP10W50VX2 | WMK08N65C4 | STB14NK60Z | LNC06R079 | SI1025X | SIR846DP

 

 
Back to Top

 


 
.