IRH7130 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRH7130

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO3

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IRH7130 datasheet

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IRH7130

PD - 90676D IRH7130 IRH7130 IRH7130 RADIATION HARDENED IRH7130 RADIATION HARDENED IRH7130 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOL

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IRH7130

PD - 90677D IRH7150 RADIATION HARDENED POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH7150 100K Rads (Si) 0.065 34A IRH3150 300K Rads (Si) 0.065 34A IRH4150 600K Rads (Si) 0.065 34A IRH8150 1000K Rads (Si) 0.065 34A TO-204AE International Rectifier s RADHard HEXFET technol

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