IRH7130 Todos los transistores

 

IRH7130 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRH7130
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

 Búsqueda de reemplazo de IRH7130 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRH7130 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  international rectifier
 irh7130.pdf pdf_icon

IRH7130

PD - 90676DIRH7130IRH7130IRH7130RADIATION HARDENED IRH7130RADIATION HARDENED IRH7130RADIATION HARDENEDRADIATION HARDENEDRADIATION HARDENED100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNELPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TECHNOL

 9.1. Size:272K  international rectifier
 irh7150.pdf pdf_icon

IRH7130

PD - 90677DIRH7150RADIATION HARDENEDPOWER MOSFET100V, N-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (T0-204)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRH7150 100K Rads (Si) 0.065 34AIRH3150 300K Rads (Si) 0.065 34AIRH4150 600K Rads (Si) 0.065 34AIRH8150 1000K Rads (Si) 0.065 34ATO-204AEInternational Rectifiers RADHard HEXFET technol

Otros transistores... IRHMS597160 , IRHMS597260 , IRHMS597Z60 , IRHMS67160 , IRHMS67164 , IRHMS67260 , IRHMS67264 , IRH7054 , EMB04N03H , IRH7150 , IRH7230 , IRH7250 , IRH7250SE , IRH7450 , IRH7450SE , IRH9130 , IRH9150 .

History: IRH7250SE | RSD050N10FRA | AP9997GP | AP9972GH-HF | RP1A090ZPTR | UTT6NP10L-TN4-R

 

 
Back to Top

 


 
.