IRH7130 Todos los transistores

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IRH7130 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRH7130

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 14 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 120 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 310 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3

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IRH7130 Datasheet (PDF)

1.1. irh7130.pdf Size:462K _international_rectifier

IRH7130
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PD - 90676D IRH7130 IRH7130 IRH7130 RADIATION HARDENED IRH7130 RADIATION HARDENED IRH7130 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET ® RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOL

5.1. irh7150.pdf Size:272K _international_rectifier

IRH7130
IRH7130

PD - 90677D IRH7150 RADIATION HARDENED POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL ® RAD Hard™ HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH7150 100K Rads (Si) 0.065Ω 34A IRH3150 300K Rads (Si) 0.065Ω 34A IRH4150 600K Rads (Si) 0.065Ω 34A IRH8150 1000K Rads (Si) 0.065Ω 34A TO-204AE International Rectifier’s RADHard HEXFET® technol

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