Справочник MOSFET. IRH7130

 

IRH7130 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRH7130
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRH7130

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRH7130 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  international rectifier
 irh7130.pdf pdf_icon

IRH7130

PD - 90676DIRH7130IRH7130IRH7130RADIATION HARDENED IRH7130RADIATION HARDENED IRH7130RADIATION HARDENEDRADIATION HARDENEDRADIATION HARDENED100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNELPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TECHNOL

 9.1. Size:272K  international rectifier
 irh7150.pdf pdf_icon

IRH7130

PD - 90677DIRH7150RADIATION HARDENEDPOWER MOSFET100V, N-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (T0-204)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRH7150 100K Rads (Si) 0.065 34AIRH3150 300K Rads (Si) 0.065 34AIRH4150 600K Rads (Si) 0.065 34AIRH8150 1000K Rads (Si) 0.065 34ATO-204AEInternational Rectifiers RADHard HEXFET technol

Другие MOSFET... IRHMS597160 , IRHMS597260 , IRHMS597Z60 , IRHMS67160 , IRHMS67164 , IRHMS67260 , IRHMS67264 , IRH7054 , 2SK3918 , IRH7150 , IRH7230 , IRH7250 , IRH7250SE , IRH7450 , IRH7450SE , IRH9130 , IRH9150 .

History: CHM634PAGP | NVMFS5A140PLZ | ZXMN6A07F

 

 
Back to Top

 


 
.