IRH7150 Todos los transistores

 

IRH7150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRH7150

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 34 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 190 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1200 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.065 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3

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IRH7150 Datasheet (PDF)

1.1. irh7150.pdf Size:272K _international_rectifier

IRH7150
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PD - 90677D IRH7150 RADIATION HARDENED POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL ® RAD Hard™ HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH7150 100K Rads (Si) 0.065Ω 34A IRH3150 300K Rads (Si) 0.065Ω 34A IRH4150 600K Rads (Si) 0.065Ω 34A IRH8150 1000K Rads (Si) 0.065Ω 34A TO-204AE International Rectifier’s RADHard HEXFET® technol

5.1. irh7130.pdf Size:462K _international_rectifier

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PD - 90676D IRH7130 IRH7130 IRH7130 RADIATION HARDENED IRH7130 RADIATION HARDENED IRH7130 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET ® RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOL

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