IRH7150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRH7150
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRH7150

IRH7150 Datasheet (PDF)

..1. Size:272K international rectifier
irh7150.pdf

PD - 90677DIRH7150RADIATION HARDENEDPOWER MOSFET100V, N-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (T0-204)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRH7150 100K Rads (Si) 0.065 34AIRH3150 300K Rads (Si) 0.065 34AIRH4150 600K Rads (Si) 0.065 34AIRH8150 1000K Rads (Si) 0.065 34ATO-204AEInternational Rectifiers RADHard HEXFET technol

9.1. Size:462K international rectifier
irh7130.pdf

PD - 90676DIRH7130IRH7130IRH7130RADIATION HARDENED IRH7130RADIATION HARDENED IRH7130RADIATION HARDENEDRADIATION HARDENEDRADIATION HARDENED100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNELPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TECHNOL

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History: DMN6013LFG

Liste

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