IRH7150 Todos los transistores

 

IRH7150 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRH7150
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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IRH7150 datasheet

 ..1. Size:272K  international rectifier
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IRH7150

PD - 90677D IRH7150 RADIATION HARDENED POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH7150 100K Rads (Si) 0.065 34A IRH3150 300K Rads (Si) 0.065 34A IRH4150 600K Rads (Si) 0.065 34A IRH8150 1000K Rads (Si) 0.065 34A TO-204AE International Rectifier s RADHard HEXFET technol

 9.1. Size:462K  international rectifier
 irh7130.pdf pdf_icon

IRH7150

PD - 90676D IRH7130 IRH7130 IRH7130 RADIATION HARDENED IRH7130 RADIATION HARDENED IRH7130 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOL

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History: RUH85210R | AGM30P25MBP | 2SK1522 | 2SJ532 | 2SJ424 | 2SJ518 | KMB7D0DN40QB

 

 
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