Справочник MOSFET. IRH7150

 

IRH7150 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRH7150

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 34 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 190 ns

Выходная емкость (Cd): 1200 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRH7150

 

 

IRH7150 Datasheet (PDF)

1.1. irh7150.pdf Size:272K _international_rectifier

IRH7150 IRH7150

PD - 90677D IRH7150 RADIATION HARDENED POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL ® RAD Hard™ HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH7150 100K Rads (Si) 0.065Ω 34A IRH3150 300K Rads (Si) 0.065Ω 34A IRH4150 600K Rads (Si) 0.065Ω 34A IRH8150 1000K Rads (Si) 0.065Ω 34A TO-204AE International Rectifier’s RADHard HEXFET® technol

5.1. irh7130.pdf Size:462K _international_rectifier

IRH7150 IRH7150

PD - 90676D IRH7130 IRH7130 IRH7130 RADIATION HARDENED IRH7130 RADIATION HARDENED IRH7130 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET ® RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOL

Другие MOSFET... IRHMS597260 , IRHMS597Z60 , IRHMS67160 , IRHMS67164 , IRHMS67260 , IRHMS67264 , IRH7054 , IRH7130 , IRF8010 , IRH7230 , IRH7250 , IRH7250SE , IRH7450 , IRH7450SE , IRH9130 , IRH9150 , IRH9230 .

Back to Top