IRH7150 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRH7150
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 34 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 190 ns
Выходная емкость (Cd): 1200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
Тип корпуса: TO3
IRH7150 Datasheet (PDF)
1.1. irh7150.pdf 
Size:272K _international_rectifier
PD - 90677D IRH7150 RADIATION HARDENED POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL ® RAD Hard™ HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH7150 100K Rads (Si) 0.065Ω 34A IRH3150 300K Rads (Si) 0.065Ω 34A IRH4150 600K Rads (Si) 0.065Ω 34A IRH8150 1000K Rads (Si) 0.065Ω 34A TO-204AE International Rectifier’s RADHard HEXFET® technol
5.1. irh7130.pdf Size:462K _international_rectifier
PD - 90676D IRH7130 IRH7130 IRH7130 RADIATION HARDENED IRH7130 RADIATION HARDENED IRH7130 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET ® RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOL
Другие MOSFET... IRHMS597260 , IRHMS597Z60 , IRHMS67160 , IRHMS67164 , IRHMS67260 , IRHMS67264 , IRH7054 , IRH7130 , IRF8010 , IRH7230 , IRH7250 , IRH7250SE , IRH7450 , IRH7450SE , IRH9130 , IRH9150 , IRH9230 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CHM1012TGP | CHM1012PAGP | CHM1012LPAGP | CHM09N7NGP | CHM09N6NGP | CHM06N5NGP | CHM05P03NGP | CHM05N65PAGP | CHM04N6NGP | CHM0410JGP | CHM02N7PAGP | CHM02N7NGP | CHM02N6PAGP | CHM02N6GPAGP | CHM02N6ANGP |