IRH7150. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRH7150

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRH7150

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRH7150 даташит

 ..1. Size:272K  international rectifier
 irh7150.pdf pdf_icon

IRH7150

PD - 90677D IRH7150 RADIATION HARDENED POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH7150 100K Rads (Si) 0.065 34A IRH3150 300K Rads (Si) 0.065 34A IRH4150 600K Rads (Si) 0.065 34A IRH8150 1000K Rads (Si) 0.065 34A TO-204AE International Rectifier s RADHard HEXFET technol

 9.1. Size:462K  international rectifier
 irh7130.pdf pdf_icon

IRH7150

PD - 90676D IRH7130 IRH7130 IRH7130 RADIATION HARDENED IRH7130 RADIATION HARDENED IRH7130 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOL

Другие IGBT... IRHMS597260, IRHMS597Z60, IRHMS67160, IRHMS67164, IRHMS67260, IRHMS67264, IRH7054, IRH7130, RU7088R, IRH7230, IRH7250, IRH7250SE, IRH7450, IRH7450SE, IRH9130, IRH9150, IRH9230