Справочник MOSFET. IRH7150

 

IRH7150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRH7150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRH7150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  international rectifier
 irh7150.pdf pdf_icon

IRH7150

PD - 90677DIRH7150RADIATION HARDENEDPOWER MOSFET100V, N-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (T0-204)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRH7150 100K Rads (Si) 0.065 34AIRH3150 300K Rads (Si) 0.065 34AIRH4150 600K Rads (Si) 0.065 34AIRH8150 1000K Rads (Si) 0.065 34ATO-204AEInternational Rectifiers RADHard HEXFET technol

 9.1. Size:462K  international rectifier
 irh7130.pdf pdf_icon

IRH7150

PD - 90676DIRH7130IRH7130IRH7130RADIATION HARDENED IRH7130RADIATION HARDENED IRH7130RADIATION HARDENEDRADIATION HARDENEDRADIATION HARDENED100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNELPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TECHNOL

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK3748-1E | WMJ28N60C4 | AP70SL950AJB | GP2M010A060X | STM6916 | JCS730SC | AM3411PE

 

 
Back to Top

 


 
.