Справочник MOSFET. IRH7150

 

IRH7150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRH7150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRH7150

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRH7150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  international rectifier
 irh7150.pdf pdf_icon

IRH7150

PD - 90677DIRH7150RADIATION HARDENEDPOWER MOSFET100V, N-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (T0-204)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRH7150 100K Rads (Si) 0.065 34AIRH3150 300K Rads (Si) 0.065 34AIRH4150 600K Rads (Si) 0.065 34AIRH8150 1000K Rads (Si) 0.065 34ATO-204AEInternational Rectifiers RADHard HEXFET technol

 9.1. Size:462K  international rectifier
 irh7130.pdf pdf_icon

IRH7150

PD - 90676DIRH7130IRH7130IRH7130RADIATION HARDENED IRH7130RADIATION HARDENED IRH7130RADIATION HARDENEDRADIATION HARDENEDRADIATION HARDENED100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNELPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TECHNOL

Другие MOSFET... IRHMS597260 , IRHMS597Z60 , IRHMS67160 , IRHMS67164 , IRHMS67260 , IRHMS67264 , IRH7054 , IRH7130 , MMD60R360PRH , IRH7230 , IRH7250 , IRH7250SE , IRH7450 , IRH7450SE , IRH9130 , IRH9150 , IRH9230 .

History: DMG4N60SCT | CS4N65A3TDY | VBMB1606 | BL4N60A-P | SVS70R420SE3TR | PC015HVA | APT6035BVFRG

 

 
Back to Top

 


 
.