IRH7450SE Todos los transistores

 

IRH7450SE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRH7450SE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.51 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRH7450SE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  international rectifier
 irh7450se.pdf pdf_icon

IRH7450SE

PD - 91390BRADIATION HARDENED IRH7450SEPOWER MOSFET 500V, N-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRH7450SE 100K Rads (Si) 0.51 12ATO-204AEInternational Rectifiers RADHardTM HEXFET MOSFETtechnology provides high performance power MOSFETsFeatures:for space applications. This technology

 7.1. Size:297K  international rectifier
 irh7450.pdf pdf_icon

IRH7450SE

PD - 91807AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRH7450HEXFET TRANSISTOR IRH8450N CHANNELMEGA RAD HARD500Volt, 0.45 Product Summary, MEGA RAD HARD HEXFETInternational Rectifiers RAD HARD technology Part Number BVDSS RDS(on) IDHEXFETs demonstrate excellent threshold voltageIRH7450 500V 0.45 11Astability and breakdown voltage stability at totalIR

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History: AM2336N-T1 | CEF05N6 | SMOS44N80

 

 
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