IRH7450SE Todos los transistores

 

IRH7450SE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRH7450SE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 151 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 640 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.51 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3

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IRH7450SE Datasheet (PDF)

1.1. irh7450se.pdf Size:118K _international_rectifier

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PD - 91390B RADIATION HARDENED IRH7450SE POWER MOSFET 500V, N-CHANNEL ® RAD Hard™ HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH7450SE 100K Rads (Si) 0.51Ω 12A TO-204AE International Rectifier’s RADHardTM HEXFET® MOSFET technology provides high performance power MOSFETs Features: for space applications. This technology

3.1. irh7450.pdf Size:297K _international_rectifier

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PD - 91807A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRH7450 HEXFET® TRANSISTOR IRH8450 N CHANNEL MEGA RAD HARD Ω 500Volt, 0.45Ω Product Summary Ω, MEGA RAD HARD HEXFET Ω Ω International Rectifier’s RAD HARD technology Part Number BVDSS RDS(on) ID HEXFETs demonstrate excellent threshold voltage IRH7450 500V 0.45Ω 11A stability and breakdown voltage stability at total IR

 

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