IRH7450SE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRH7450SE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.51 Ohm

Encapsulados: TO3

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IRH7450SE datasheet

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IRH7450SE

PD - 91390B RADIATION HARDENED IRH7450SE POWER MOSFET 500V, N-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH7450SE 100K Rads (Si) 0.51 12A TO-204AE International Rectifier s RADHardTM HEXFET MOSFET technology provides high performance power MOSFETs Features for space applications. This technology

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IRH7450SE

PD - 91807A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRH7450 HEXFET TRANSISTOR IRH8450 N CHANNEL MEGA RAD HARD 500Volt, 0.45 Product Summary , MEGA RAD HARD HEXFET International Rectifier s RAD HARD technology Part Number BVDSS RDS(on) ID HEXFETs demonstrate excellent threshold voltage IRH7450 500V 0.45 11A stability and breakdown voltage stability at total IR

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