Справочник MOSFET. IRH7450SE

 

IRH7450SE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRH7450SE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.51 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRH7450SE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRH7450SE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  international rectifier
 irh7450se.pdf pdf_icon

IRH7450SE

PD - 91390BRADIATION HARDENED IRH7450SEPOWER MOSFET 500V, N-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRH7450SE 100K Rads (Si) 0.51 12ATO-204AEInternational Rectifiers RADHardTM HEXFET MOSFETtechnology provides high performance power MOSFETsFeatures:for space applications. This technology

 7.1. Size:297K  international rectifier
 irh7450.pdf pdf_icon

IRH7450SE

PD - 91807AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRH7450HEXFET TRANSISTOR IRH8450N CHANNELMEGA RAD HARD500Volt, 0.45 Product Summary, MEGA RAD HARD HEXFETInternational Rectifiers RAD HARD technology Part Number BVDSS RDS(on) IDHEXFETs demonstrate excellent threshold voltageIRH7450 500V 0.45 11Astability and breakdown voltage stability at totalIR

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.