IRH9130 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRH9130

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO3

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IRH9130 datasheet

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IRH9130

PD - 90880C RADIATION HARDENED IRH9130 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204AA) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9130 100K Rads (Si) 0.3 -11A IRH93130 300K Rads (Si) 0.3 -11A TO-204AA International Rectifier s RADHard HEXFET technol- ogy provides high performance power MOSFETs for space applications. Th

 9.1. Size:179K  international rectifier
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IRH9130

PD-90879D RADIATION HARDENED IRH9150 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204AE) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9150 100K Rads (Si) 0.075 -22A IRH93150 300K Rads (Si) 0.075 -22A TO-204AE International Rectifier s RADHard HEXFET technology provides high performance power MOSFETs for space applications. Thi

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