IRH9130 Todos los transistores

 

IRH9130 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRH9130

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 11 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3

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IRH9130 Datasheet (PDF)

1.1. irh9130.pdf Size:119K _international_rectifier

IRH9130
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PD - 90880C RADIATION HARDENED IRH9130 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL ® RAD Hard™ HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204AA) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9130 100K Rads (Si) 0.3Ω -11A IRH93130 300K Rads (Si) 0.3Ω -11A TO-204AA International Rectifier’s RADHard HEXFET® technol- ogy provides high performance power MOSFETs for space applications. Th

5.1. irh9150.pdf Size:179K _international_rectifier

IRH9130
IRH9130

PD-90879D RADIATION HARDENED IRH9150 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL ® RAD Hard™ HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204AE) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9150 100K Rads (Si) 0.075Ω -22A IRH93150 300K Rads (Si) 0.075Ω -22A TO-204AE International Rectifier’s RADHard HEXFET® technology provides high performance power MOSFETs for space applications. Thi

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