IRH9130. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRH9130

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRH9130

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRH9130 даташит

 ..1. Size:119K  international rectifier
 irh9130.pdf pdf_icon

IRH9130

PD - 90880C RADIATION HARDENED IRH9130 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204AA) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9130 100K Rads (Si) 0.3 -11A IRH93130 300K Rads (Si) 0.3 -11A TO-204AA International Rectifier s RADHard HEXFET technol- ogy provides high performance power MOSFETs for space applications. Th

 9.1. Size:179K  international rectifier
 irh9150.pdf pdf_icon

IRH9130

PD-90879D RADIATION HARDENED IRH9150 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204AE) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9150 100K Rads (Si) 0.075 -22A IRH93150 300K Rads (Si) 0.075 -22A TO-204AE International Rectifier s RADHard HEXFET technology provides high performance power MOSFETs for space applications. Thi

Другие IGBT... IRH7054, IRH7130, IRH7150, IRH7230, IRH7250, IRH7250SE, IRH7450, IRH7450SE, AO4468, IRH9150, IRH9230, IRH9250, IRFM064, IRFM120ATF, IRFM1310ST, IRFM210BTFFP001, IRFM220BTFFP001