IRH9150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRH9150
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 22 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 35 nC
Tiempo de subida (tr): 150 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1100 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRH9150
IRH9150 Datasheet (PDF)
irh9150.pdf
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irh9130.pdf
PD - 90880CRADIATION HARDENED IRH9130POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (T0-204AA)Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9130 100K Rads (Si) 0.3 -11A IRH93130 300K Rads (Si) 0.3 -11ATO-204AAInternational Rectifiers RADHard HEXFET technol-ogy provides high performance power MOSFETs forspace applications. Th
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