IRH9150 Todos los transistores

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IRH9150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRH9150

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 22 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 150 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1100 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.075 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3

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IRH9150 Datasheet (PDF)

1.1. irh9150.pdf Size:179K _international_rectifier

IRH9150
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PD-90879D RADIATION HARDENED IRH9150 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL ® RAD Hard™ HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204AE) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9150 100K Rads (Si) 0.075Ω -22A IRH93150 300K Rads (Si) 0.075Ω -22A TO-204AE International Rectifier’s RADHard HEXFET® technology provides high performance power MOSFETs for space applications. Thi

5.1. irh9130.pdf Size:119K _international_rectifier

IRH9150
IRH9150

PD - 90880C RADIATION HARDENED IRH9130 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL ® RAD Hard™ HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204AA) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9130 100K Rads (Si) 0.3Ω -11A IRH93130 300K Rads (Si) 0.3Ω -11A TO-204AA International Rectifier’s RADHard HEXFET® technol- ogy provides high performance power MOSFETs for space applications. Th

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