IRH9150. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRH9150

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRH9150

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRH9150 даташит

 ..1. Size:179K  international rectifier
 irh9150.pdf pdf_icon

IRH9150

PD-90879D RADIATION HARDENED IRH9150 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204AE) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9150 100K Rads (Si) 0.075 -22A IRH93150 300K Rads (Si) 0.075 -22A TO-204AE International Rectifier s RADHard HEXFET technology provides high performance power MOSFETs for space applications. Thi

 9.1. Size:119K  international rectifier
 irh9130.pdf pdf_icon

IRH9150

PD - 90880C RADIATION HARDENED IRH9130 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204AA) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9130 100K Rads (Si) 0.3 -11A IRH93130 300K Rads (Si) 0.3 -11A TO-204AA International Rectifier s RADHard HEXFET technol- ogy provides high performance power MOSFETs for space applications. Th

Другие IGBT... IRH7130, IRH7150, IRH7230, IRH7250, IRH7250SE, IRH7450, IRH7450SE, IRH9130, IRF730, IRH9230, IRH9250, IRFM064, IRFM120ATF, IRFM1310ST, IRFM210BTFFP001, IRFM220BTFFP001, IRFM250D