Справочник MOSFET. IRH9150

 

IRH9150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRH9150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRH9150

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRH9150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  international rectifier
 irh9150.pdf pdf_icon

IRH9150

PD-90879DRADIATION HARDENED IRH9150POWER MOSFET 100V, P-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (T0-204AE)Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9150 100K Rads (Si) 0.075 -22A IRH93150 300K Rads (Si) 0.075 -22ATO-204AEInternational Rectifiers RADHard HEXFET technologyprovides high performance power MOSFETs for spaceapplications. Thi

 9.1. Size:119K  international rectifier
 irh9130.pdf pdf_icon

IRH9150

PD - 90880CRADIATION HARDENED IRH9130POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (T0-204AA)Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9130 100K Rads (Si) 0.3 -11A IRH93130 300K Rads (Si) 0.3 -11ATO-204AAInternational Rectifiers RADHard HEXFET technol-ogy provides high performance power MOSFETs forspace applications. Th

Другие MOSFET... IRH7130 , IRH7150 , IRH7230 , IRH7250 , IRH7250SE , IRH7450 , IRH7450SE , IRH9130 , BS170 , IRH9230 , IRH9250 , IRFM064 , IRFM120ATF , IRFM1310ST , IRFM210BTFFP001 , IRFM220BTFFP001 , IRFM250D .

History: PT4606 | IPD90N06S4-05 | MCH3476 | AONR34332C | MTP4835Q8 | HY6N60D

 

 
Back to Top

 


 
.