IRH9230 Todos los transistores

 

IRH9230 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRH9230
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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IRH9230 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  international rectifier
 irh9230.pdf pdf_icon

IRH9230

Provisional Data Sheet No. PD-9.1391IRH9230AVALANCHE ENERGY AND dv/dt RATEDHEXFET TRANSISTORP-CHANNELRAD HARDProduct Summary-200 Volt, 0.8 RAD HARD HEXFET, International Rectifiers P-Channel RAD HARD technologyPart Number BVDSS RDS(on) IDHEXFETs demonstrate excellent threshold voltage stabilityand breakdown voltage stability at total radiation d

 9.1. Size:174K  international rectifier
 irh9250.pdf pdf_icon

IRH9230

PD-91392DRADIATION HARDENED IRH9250POWER MOSFET 200V, P-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (T0-204AE)Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9250 100K Rads (Si) 0.315 -14A IRH93250 300K Rads (Si) 0.315 -14AInternational Rectifiers RADHard HEXFETTO-204AEtechnology provides high performance powerMOSFETs for space applications. Thi

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History: MVGSF1N03L | BLS6G2731S-130 | GT68N12T | SM4804DSK | EFC4621R | IPB80N04S3-H4 | BSC042N03SG

 

 
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