IRH9230 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRH9230

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO3

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IRH9230 datasheet

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IRH9230

Provisional Data Sheet No. PD-9.1391 IRH9230 AVALANCHE ENERGY AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR P-CHANNEL RAD HARD Product Summary -200 Volt, 0.8 RAD HARD HEXFET , International Rectifier s P-Channel RAD HARD technology Part Number BVDSS RDS(on) ID HEXFETs demonstrate excellent threshold voltage stability and breakdown voltage stability at total radiation d

 9.1. Size:174K  international rectifier
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IRH9230

PD-91392D RADIATION HARDENED IRH9250 POWER MOSFET 200V, P-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204AE) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9250 100K Rads (Si) 0.315 -14A IRH93250 300K Rads (Si) 0.315 -14A International Rectifier s RADHard HEXFET TO-204AE technology provides high performance power MOSFETs for space applications. Thi

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