Справочник MOSFET. IRH9230

 

IRH9230 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRH9230
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRH9230

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRH9230 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  international rectifier
 irh9230.pdf pdf_icon

IRH9230

Provisional Data Sheet No. PD-9.1391IRH9230AVALANCHE ENERGY AND dv/dt RATEDHEXFET TRANSISTORP-CHANNELRAD HARDProduct Summary-200 Volt, 0.8 RAD HARD HEXFET, International Rectifiers P-Channel RAD HARD technologyPart Number BVDSS RDS(on) IDHEXFETs demonstrate excellent threshold voltage stabilityand breakdown voltage stability at total radiation d

 9.1. Size:174K  international rectifier
 irh9250.pdf pdf_icon

IRH9230

PD-91392DRADIATION HARDENED IRH9250POWER MOSFET 200V, P-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (T0-204AE)Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9250 100K Rads (Si) 0.315 -14A IRH93250 300K Rads (Si) 0.315 -14AInternational Rectifiers RADHard HEXFETTO-204AEtechnology provides high performance powerMOSFETs for space applications. Thi

Другие MOSFET... IRH7150 , IRH7230 , IRH7250 , IRH7250SE , IRH7450 , IRH7450SE , IRH9130 , IRH9150 , IRFZ44N , IRH9250 , IRFM064 , IRFM120ATF , IRFM1310ST , IRFM210BTFFP001 , IRFM220BTFFP001 , IRFM250D , IRFM254 .

History: HY4504W | IXFV18N90PS | RXR035N03 | 2SK4067I | 7N65L-TA3-T | IRF7478QPBF | ZXMP6A17GTA

 

 
Back to Top

 


 
.