IRH9230. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRH9230

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRH9230

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRH9230 даташит

 ..1. Size:53K  international rectifier
 irh9230.pdf pdf_icon

IRH9230

Provisional Data Sheet No. PD-9.1391 IRH9230 AVALANCHE ENERGY AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR P-CHANNEL RAD HARD Product Summary -200 Volt, 0.8 RAD HARD HEXFET , International Rectifier s P-Channel RAD HARD technology Part Number BVDSS RDS(on) ID HEXFETs demonstrate excellent threshold voltage stability and breakdown voltage stability at total radiation d

 9.1. Size:174K  international rectifier
 irh9250.pdf pdf_icon

IRH9230

PD-91392D RADIATION HARDENED IRH9250 POWER MOSFET 200V, P-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204AE) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9250 100K Rads (Si) 0.315 -14A IRH93250 300K Rads (Si) 0.315 -14A International Rectifier s RADHard HEXFET TO-204AE technology provides high performance power MOSFETs for space applications. Thi

Другие IGBT... IRH7150, IRH7230, IRH7250, IRH7250SE, IRH7450, IRH7450SE, IRH9130, IRH9150, IRFZ44N, IRH9250, IRFM064, IRFM120ATF, IRFM1310ST, IRFM210BTFFP001, IRFM220BTFFP001, IRFM250D, IRFM254