IRH9250 Todos los transistores

 

IRH9250 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRH9250
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 240 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.315 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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IRH9250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  international rectifier
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IRH9250

PD-91392DRADIATION HARDENED IRH9250POWER MOSFET 200V, P-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (T0-204AE)Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9250 100K Rads (Si) 0.315 -14A IRH93250 300K Rads (Si) 0.315 -14AInternational Rectifiers RADHard HEXFETTO-204AEtechnology provides high performance powerMOSFETs for space applications. Thi

 9.1. Size:53K  international rectifier
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IRH9250

Provisional Data Sheet No. PD-9.1391IRH9230AVALANCHE ENERGY AND dv/dt RATEDHEXFET TRANSISTORP-CHANNELRAD HARDProduct Summary-200 Volt, 0.8 RAD HARD HEXFET, International Rectifiers P-Channel RAD HARD technologyPart Number BVDSS RDS(on) IDHEXFETs demonstrate excellent threshold voltage stabilityand breakdown voltage stability at total radiation d

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History: AOD2144 | PMCM4401VPE | NTBV45N06L | LNC10N60 | VBZA4606 | CSD23203W | PP4B10AT

 

 
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