IRH9250 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRH9250
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 14 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Tiempo de elevación (tr): 240 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 690 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.315 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRH9250
IRH9250 Datasheet (PDF)
1.1. irh9250.pdf 
Size:174K _international_rectifier
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5.1. irh9230.pdf Size:53K _international_rectifier
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