IRH9250 Todos los transistores

 

IRH9250 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRH9250

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 14 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 240 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 690 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.315 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3

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IRH9250 Datasheet (PDF)

1.1. irh9250.pdf Size:174K _international_rectifier

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PD-91392D RADIATION HARDENED IRH9250 POWER MOSFET 200V, P-CHANNEL ® RAD Hard™ HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204AE) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9250 100K Rads (Si) 0.315Ω -14A IRH93250 300K Rads (Si) 0.315Ω -14A International Rectifier’s RADHard HEXFET® TO-204AE technology provides high performance power MOSFETs for space applications. Thi

5.1. irh9230.pdf Size:53K _international_rectifier

IRH9250
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Provisional Data Sheet No. PD-9.1391 IRH9230 AVALANCHE ENERGY AND dv/dt RATED HEXFET® TRANSISTOR P-CHANNEL RAD HARD Product Summary Ω -200 Volt, 0.8Ω RAD HARD HEXFET Ω, Ω Ω International Rectifier’s P-Channel RAD HARD technology Part Number BVDSS RDS(on) ID HEXFETs demonstrate excellent threshold voltage stability and breakdown voltage stability at total radiation d

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