Справочник MOSFET. IRH9250

 

IRH9250 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRH9250
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 240 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.315 Ohm
   Тип корпуса: TO3

 Аналог (замена) для IRH9250

 

 

IRH9250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  international rectifier
 irh9250.pdf

IRH9250 IRH9250

PD-91392DRADIATION HARDENED IRH9250POWER MOSFET 200V, P-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (T0-204AE)Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9250 100K Rads (Si) 0.315 -14A IRH93250 300K Rads (Si) 0.315 -14AInternational Rectifiers RADHard HEXFETTO-204AEtechnology provides high performance powerMOSFETs for space applications. Thi

 9.1. Size:53K  international rectifier
 irh9230.pdf

IRH9250 IRH9250

Provisional Data Sheet No. PD-9.1391IRH9230AVALANCHE ENERGY AND dv/dt RATEDHEXFET TRANSISTORP-CHANNELRAD HARDProduct Summary-200 Volt, 0.8 RAD HARD HEXFET, International Rectifiers P-Channel RAD HARD technologyPart Number BVDSS RDS(on) IDHEXFETs demonstrate excellent threshold voltage stabilityand breakdown voltage stability at total radiation d

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top