Справочник MOSFET. IRH9250

 

IRH9250 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRH9250
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 240 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.315 Ohm
   Тип корпуса: TO3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRH9250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  international rectifier
 irh9250.pdf pdf_icon

IRH9250

PD-91392DRADIATION HARDENED IRH9250POWER MOSFET 200V, P-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (T0-204AE)Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRH9250 100K Rads (Si) 0.315 -14A IRH93250 300K Rads (Si) 0.315 -14AInternational Rectifiers RADHard HEXFETTO-204AEtechnology provides high performance powerMOSFETs for space applications. Thi

 9.1. Size:53K  international rectifier
 irh9230.pdf pdf_icon

IRH9250

Provisional Data Sheet No. PD-9.1391IRH9230AVALANCHE ENERGY AND dv/dt RATEDHEXFET TRANSISTORP-CHANNELRAD HARDProduct Summary-200 Volt, 0.8 RAD HARD HEXFET, International Rectifiers P-Channel RAD HARD technologyPart Number BVDSS RDS(on) IDHEXFETs demonstrate excellent threshold voltage stabilityand breakdown voltage stability at total radiation d

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AM40P03-34D | NVMFS5C628N | FDD6685 | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.