IRFM5210 Todos los transistores

 

IRFM5210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFM5210
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 180 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 86 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
 

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IRFM5210 Datasheet (PDF)

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IRFM5210

IRFM5210MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNEL MOSFET 13.59 (0.535) 6.32 (0.249)IN A TO254 13.84 (0.545) 6.60 (0.260)3.53 (0.139) 1.02 (0.040)Dia.3.78 (0.149) 1.27 (0.050)FOR HIGH RELIABILITYAPPLICATIONS.VDSS 100V1 2 3ID 34ARDS(on) 0.070.89 (0.035)1.14 (0.045)3.81 (0.150)FEATURES3.81 (0.150) BSCBSC FAST SWITCHINGTO-254AA

 9.1. Size:619K  semelab
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IRFM5210

N-CHANNEL POWER MOSFET IRFM540 Low RDS(on) MOSFET Transistor In A Isolated Hermetic Metal Package Designed For Switching, Power Supply, Motor Control and Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 100V VGS Gate Source Voltage 20V ID Tc = 25C Continuous

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History: 2SK2406 | AP73T03AGH-HF | TPC8A01

 

 
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