IRFM5210 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFM5210

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 86 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: TO254AA

 Búsqueda de reemplazo de IRFM5210 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRFM5210 datasheet

 ..1. Size:15K  semelab
 irfm5210.pdf pdf_icon

IRFM5210

IRFM5210 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL MOSFET 13.59 (0.535) 6.32 (0.249) IN A TO254 13.84 (0.545) 6.60 (0.260) 3.53 (0.139) 1.02 (0.040) Dia. 3.78 (0.149) 1.27 (0.050) FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS. VDSS 100V 1 2 3 ID 34A RDS(on) 0.07 0.89 (0.035) 1.14 (0.045) 3.81 (0.150) FEATURES 3.81 (0.150) BSC BSC FAST SWITCHING TO-254AA

 9.1. Size:619K  semelab
 irfm540.pdf pdf_icon

IRFM5210

N-CHANNEL POWER MOSFET IRFM540 Low RDS(on) MOSFET Transistor In A Isolated Hermetic Metal Package Designed For Switching, Power Supply, Motor Control and Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 100V VGS Gate Source Voltage 20V ID Tc = 25 C Continuous

Otros transistores... IRFM1310ST, IRFM210BTFFP001, IRFM220BTFFP001, IRFM250D, IRFM254, IRFM260, IRFM3205, IRFM450, IRLZ44N, IRFM540, IRFMA450, IRFMG40, IRFMG50, IRFMJ044, IRFML8244TRPBF, IRFN044SMD, IRFN054SMD