IRFM5210 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFM5210
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 86 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
IRFM5210 Datasheet (PDF)
irfm5210.pdf
IRFM5210MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNEL MOSFET 13.59 (0.535) 6.32 (0.249)IN A TO254 13.84 (0.545) 6.60 (0.260)3.53 (0.139) 1.02 (0.040)Dia.3.78 (0.149) 1.27 (0.050)FOR HIGH RELIABILITYAPPLICATIONS.VDSS 100V1 2 3ID 34ARDS(on) 0.070.89 (0.035)1.14 (0.045)3.81 (0.150)FEATURES3.81 (0.150) BSCBSC FAST SWITCHINGTO-254AA
irfm540.pdf
N-CHANNEL POWER MOSFET IRFM540 Low RDS(on) MOSFET Transistor In A Isolated Hermetic Metal Package Designed For Switching, Power Supply, Motor Control and Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 100V VGS Gate Source Voltage 20V ID Tc = 25C Continuous
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918