Справочник MOSFET. IRFM5210

 

IRFM5210 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFM5210
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
 

 Аналог (замена) для IRFM5210

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFM5210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:15K  semelab
 irfm5210.pdf pdf_icon

IRFM5210

IRFM5210MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNEL MOSFET 13.59 (0.535) 6.32 (0.249)IN A TO254 13.84 (0.545) 6.60 (0.260)3.53 (0.139) 1.02 (0.040)Dia.3.78 (0.149) 1.27 (0.050)FOR HIGH RELIABILITYAPPLICATIONS.VDSS 100V1 2 3ID 34ARDS(on) 0.070.89 (0.035)1.14 (0.045)3.81 (0.150)FEATURES3.81 (0.150) BSCBSC FAST SWITCHINGTO-254AA

 9.1. Size:619K  semelab
 irfm540.pdf pdf_icon

IRFM5210

N-CHANNEL POWER MOSFET IRFM540 Low RDS(on) MOSFET Transistor In A Isolated Hermetic Metal Package Designed For Switching, Power Supply, Motor Control and Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 100V VGS Gate Source Voltage 20V ID Tc = 25C Continuous

Другие MOSFET... IRFM1310ST , IRFM210BTFFP001 , IRFM220BTFFP001 , IRFM250D , IRFM254 , IRFM260 , IRFM3205 , IRFM450 , IRFP260N , IRFM540 , IRFMA450 , IRFMG40 , IRFMG50 , IRFMJ044 , IRFML8244TRPBF , IRFN044SMD , IRFN054SMD .

History: NCE65NF068V | PHD20N06T

 

 
Back to Top

 


 
.