IRFM5210. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFM5210

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для IRFM5210

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFM5210 даташит

 ..1. Size:15K  semelab
 irfm5210.pdf pdf_icon

IRFM5210

IRFM5210 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL MOSFET 13.59 (0.535) 6.32 (0.249) IN A TO254 13.84 (0.545) 6.60 (0.260) 3.53 (0.139) 1.02 (0.040) Dia. 3.78 (0.149) 1.27 (0.050) FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS. VDSS 100V 1 2 3 ID 34A RDS(on) 0.07 0.89 (0.035) 1.14 (0.045) 3.81 (0.150) FEATURES 3.81 (0.150) BSC BSC FAST SWITCHING TO-254AA

 9.1. Size:619K  semelab
 irfm540.pdf pdf_icon

IRFM5210

N-CHANNEL POWER MOSFET IRFM540 Low RDS(on) MOSFET Transistor In A Isolated Hermetic Metal Package Designed For Switching, Power Supply, Motor Control and Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 100V VGS Gate Source Voltage 20V ID Tc = 25 C Continuous

Другие IGBT... IRFM1310ST, IRFM210BTFFP001, IRFM220BTFFP001, IRFM250D, IRFM254, IRFM260, IRFM3205, IRFM450, IRLZ44N, IRFM540, IRFMA450, IRFMG40, IRFMG50, IRFMJ044, IRFML8244TRPBF, IRFN044SMD, IRFN054SMD