Справочник MOSFET. IRFM5210

 

IRFM5210 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFM5210
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 86 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFM5210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:15K  semelab
 irfm5210.pdf pdf_icon

IRFM5210

IRFM5210MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNEL MOSFET 13.59 (0.535) 6.32 (0.249)IN A TO254 13.84 (0.545) 6.60 (0.260)3.53 (0.139) 1.02 (0.040)Dia.3.78 (0.149) 1.27 (0.050)FOR HIGH RELIABILITYAPPLICATIONS.VDSS 100V1 2 3ID 34ARDS(on) 0.070.89 (0.035)1.14 (0.045)3.81 (0.150)FEATURES3.81 (0.150) BSCBSC FAST SWITCHINGTO-254AA

 9.1. Size:619K  semelab
 irfm540.pdf pdf_icon

IRFM5210

N-CHANNEL POWER MOSFET IRFM540 Low RDS(on) MOSFET Transistor In A Isolated Hermetic Metal Package Designed For Switching, Power Supply, Motor Control and Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 100V VGS Gate Source Voltage 20V ID Tc = 25C Continuous

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HGP020N10S | 2SK1809 | DMT6016LFDF | PSMG100-05 | MMSF3P02HDR2 | SRT10N022HTLTR-G | MTB25P06FP

 

 
Back to Top

 


 
.