IRFMA450 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFMA450

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.415 Ohm

Encapsulados: TO254AA

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IRFMA450 datasheet

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IRFMA450

PD - 94362 IRFMA450 POWER MOSFET 500V, N-CHANNEL THRU-HOLE (Tabless TO-254AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFMA450 0.415 12A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- Tabless TO-254AA sistance combined with hi

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