Справочник MOSFET. IRFMA450

 

IRFMA450 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFMA450
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.415 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFMA450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  international rectifier
 irfma450.pdf pdf_icon

IRFMA450

PD - 94362IRFMA450POWER MOSFET500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Tabless TO-254AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFMA450 0.415 12AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-Tabless TO-254AAsistance combined with hi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BL25N40-F | SPP80N06S2L-09 | VBQA1606 | TK9Q65W | MTD20N03HDLT4G | NCE65TF180T | SKI03063

 

 
Back to Top

 


 
.