IRFMA450. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFMA450

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.415 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для IRFMA450

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFMA450 даташит

 ..1. Size:162K  international rectifier
 irfma450.pdf pdf_icon

IRFMA450

PD - 94362 IRFMA450 POWER MOSFET 500V, N-CHANNEL THRU-HOLE (Tabless TO-254AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFMA450 0.415 12A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- Tabless TO-254AA sistance combined with hi

Другие IGBT... IRFM220BTFFP001, IRFM250D, IRFM254, IRFM260, IRFM3205, IRFM450, IRFM5210, IRFM540, IRF640N, IRFMG40, IRFMG50, IRFMJ044, IRFML8244TRPBF, IRFN044SMD, IRFN054SMD, IRFN130SMD, IRFN130SMD05