IRFMG40 Todos los transistores

 

IRFMG40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFMG40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFMG40 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFMG40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:472K  international rectifier
 irfmg40.pdf pdf_icon

IRFMG40

PD - 90710BIRFMG40POWER MOSFET1000V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFMG40 3.5 3.9AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-TO-254AAsistance combined with high transconductanc

 9.1. Size:193K  international rectifier
 irfmg50.pdf pdf_icon

IRFMG40

PD-90711C IRFMG50POWER MOSFET1000V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFMG50 2.0 5.6AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.TO-254AAThe efficient geometry design achieves very low on-stateresistance combined with high transconductance.

Otros transistores... IRFM250D , IRFM254 , IRFM260 , IRFM3205 , IRFM450 , IRFM5210 , IRFM540 , IRFMA450 , 10N60 , IRFMG50 , IRFMJ044 , IRFML8244TRPBF , IRFN044SMD , IRFN054SMD , IRFN130SMD , IRFN130SMD05 , IRFN140SMD .

History: MTP10N40E | NCE60P65K | SQD19P06-60L | CSD17551Q3A

 

 
Back to Top

 


 
.