IRFMG40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFMG40
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
Аналог (замена) для IRFMG40
IRFMG40 Datasheet (PDF)
irfmg40.pdf

PD - 90710BIRFMG40POWER MOSFET1000V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFMG40 3.5 3.9AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-TO-254AAsistance combined with high transconductanc
irfmg50.pdf

PD-90711C IRFMG50POWER MOSFET1000V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFMG50 2.0 5.6AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.TO-254AAThe efficient geometry design achieves very low on-stateresistance combined with high transconductance.
Другие MOSFET... IRFM250D , IRFM254 , IRFM260 , IRFM3205 , IRFM450 , IRFM5210 , IRFM540 , IRFMA450 , 10N60 , IRFMG50 , IRFMJ044 , IRFML8244TRPBF , IRFN044SMD , IRFN054SMD , IRFN130SMD , IRFN130SMD05 , IRFN140SMD .
History: IRF6218L | BRB100N03 | RFM25N05
History: IRF6218L | BRB100N03 | RFM25N05



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337