IRFMG40 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IRFMG40. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFMG40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
 

 Аналог (замена) для IRFMG40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFMG40 даташит

 ..1. Size:472K  international rectifier
 irfmg40.pdf pdf_icon

IRFMG40

PD - 90710B IRFMG40 POWER MOSFET 1000V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-254AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFMG40 3.5 3.9A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- TO-254AA sistance combined with high transconductanc

 9.1. Size:193K  international rectifier
 irfmg50.pdf pdf_icon

IRFMG40

PD-90711C IRFMG50 POWER MOSFET 1000V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-254AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFMG50 2.0 5.6A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. TO-254AA The efficient geometry design achieves very low on-state resistance combined with high transconductance.

Другие MOSFET... IRFM250D , IRFM254 , IRFM260 , IRFM3205 , IRFM450 , IRFM5210 , IRFM540 , IRFMA450 , IRFP260N , IRFMG50 , IRFMJ044 , IRFML8244TRPBF , IRFN044SMD , IRFN054SMD , IRFN130SMD , IRFN130SMD05 , IRFN140SMD .

History: IXTX90N25L2 | NCE01P13K | LSB60R280HT | IRFP432 | APM4230K | P0260EIS | 5N65L-TF3T-T

 

 
Back to Top

 


 
.