IRFMG50 Todos los transistores

 

IRFMG50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFMG50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFMG50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  international rectifier
 irfmg50.pdf pdf_icon

IRFMG50

PD-90711C IRFMG50POWER MOSFET1000V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFMG50 2.0 5.6AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.TO-254AAThe efficient geometry design achieves very low on-stateresistance combined with high transconductance.

 9.1. Size:472K  international rectifier
 irfmg40.pdf pdf_icon

IRFMG50

PD - 90710BIRFMG40POWER MOSFET1000V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFMG40 3.5 3.9AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-TO-254AAsistance combined with high transconductanc

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History: BSC123N08NS3G | 24NM60G-TQ2-T | SSM4502GM | FQD20N06L | FPF1C2P5BF07A | SGSP341 | AOK160A60FDL

 

 
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