Справочник MOSFET. IRFMG50

 

IRFMG50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFMG50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
 

 Аналог (замена) для IRFMG50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFMG50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  international rectifier
 irfmg50.pdf pdf_icon

IRFMG50

PD-90711C IRFMG50POWER MOSFET1000V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFMG50 2.0 5.6AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.TO-254AAThe efficient geometry design achieves very low on-stateresistance combined with high transconductance.

 9.1. Size:472K  international rectifier
 irfmg40.pdf pdf_icon

IRFMG50

PD - 90710BIRFMG40POWER MOSFET1000V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFMG40 3.5 3.9AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-TO-254AAsistance combined with high transconductanc

Другие MOSFET... IRFM254 , IRFM260 , IRFM3205 , IRFM450 , IRFM5210 , IRFM540 , IRFMA450 , IRFMG40 , IRF3710 , IRFMJ044 , IRFML8244TRPBF , IRFN044SMD , IRFN054SMD , IRFN130SMD , IRFN130SMD05 , IRFN140SMD , IRFN150SMD .

History: 2SK775 | FDS6609A | SWMN10N65K | CSD23381F4 | R6006AND

 

 
Back to Top

 


 
.