IRFMJ044 Todos los transistores

 

IRFMJ044 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFMJ044
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: D3PAK
 

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IRFMJ044 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  international rectifier
 irfmj044.pdf pdf_icon

IRFMJ044

PD-97258IRFMJ044POWER MOSFET60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (D3 PAK)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFMJ044 0.04 35A*HEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.D3 PAKThe efficient geometry design achieves very low on-stateresistance combined with high transconductance

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History: KI2301BDS | CSD18537NKCS | PK8B0BA

 

 
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