IRFMJ044 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFMJ044

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: D3PAK

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IRFMJ044 datasheet

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IRFMJ044

PD-97258 IRFMJ044 POWER MOSFET 60V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (D3 PAK) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFMJ044 0.04 35A* HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. D3 PAK The efficient geometry design achieves very low on-state resistance combined with high transconductance

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