IRFMJ044 Todos los transistores

 

IRFMJ044 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFMJ044
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: D3PAK

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFMJ044

 

IRFMJ044 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  international rectifier
irfmj044.pdf

IRFMJ044
IRFMJ044

PD-97258IRFMJ044POWER MOSFET60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (D3 PAK)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFMJ044 0.04 35A*HEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.D3 PAKThe efficient geometry design achieves very low on-stateresistance combined with high transconductance

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


IRFMJ044
  IRFMJ044
  IRFMJ044
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top