IRFMJ044 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFMJ044
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: D3PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFMJ044
IRFMJ044 Datasheet (PDF)
irfmj044.pdf
PD-97258IRFMJ044POWER MOSFET60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (D3 PAK)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFMJ044 0.04 35A*HEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.D3 PAKThe efficient geometry design achieves very low on-stateresistance combined with high transconductance
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918