IRFMJ044 - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFMJ044 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFMJ044
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: D3PAK
 

 Аналог (замена) для IRFMJ044

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFMJ044 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  international rectifier
 irfmj044.pdf pdf_icon

IRFMJ044

PD-97258IRFMJ044POWER MOSFET60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (D3 PAK)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFMJ044 0.04 35A*HEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.D3 PAKThe efficient geometry design achieves very low on-stateresistance combined with high transconductance

Другие MOSFET... IRFM260 , IRFM3205 , IRFM450 , IRFM5210 , IRFM540 , IRFMA450 , IRFMG40 , IRFMG50 , AON6414A , IRFML8244TRPBF , IRFN044SMD , IRFN054SMD , IRFN130SMD , IRFN130SMD05 , IRFN140SMD , IRFN150SMD , IRFN214BTAFP001 .

History: DHS020N04D | RU2H30Q | SQ3457EV | DHS021N04P | RU2560L | NCE65N180D | AM2321P

 

 
Back to Top

 


 
.