Справочник MOSFET. IRFMJ044

 

IRFMJ044 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFMJ044
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: D3PAK

 Аналог (замена) для IRFMJ044

 

 

IRFMJ044 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  international rectifier
 irfmj044.pdf

IRFMJ044 IRFMJ044

PD-97258IRFMJ044POWER MOSFET60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (D3 PAK)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFMJ044 0.04 35A*HEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.D3 PAKThe efficient geometry design achieves very low on-stateresistance combined with high transconductance

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top