IRFMJ044. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFMJ044

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: D3PAK

Аналог (замена) для IRFMJ044

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFMJ044 даташит

 ..1. Size:239K  international rectifier
 irfmj044.pdf pdf_icon

IRFMJ044

PD-97258 IRFMJ044 POWER MOSFET 60V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (D3 PAK) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFMJ044 0.04 35A* HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. D3 PAK The efficient geometry design achieves very low on-state resistance combined with high transconductance

Другие IGBT... IRFM260, IRFM3205, IRFM450, IRFM5210, IRFM540, IRFMA450, IRFMG40, IRFMG50, IRFB4227, IRFML8244TRPBF, IRFN044SMD, IRFN054SMD, IRFN130SMD, IRFN130SMD05, IRFN140SMD, IRFN150SMD, IRFN214BTAFP001