IRFN5210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFN5210
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 180 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 86 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD1

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFN5210

IRFN5210 Datasheet (PDF)

..1. Size:454K semelab
irfn5210.pdf

P-CHANNEL POWER MOSFET IRFN5210 Low RDS(on) Power MOSFET Transistor, Fully Avalanche Rated Hermetic Ceramic Surface Mount package Designed For Fast Switching Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage -100V VGS Gate Source Voltage 20V ID Tc = 25C Continuou

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Liste

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