IRFN5210 Todos los transistores

 

IRFN5210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFN5210
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 86 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD1
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFN5210 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFN5210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:454K  semelab
 irfn5210.pdf pdf_icon

IRFN5210

P-CHANNEL POWER MOSFET IRFN5210 Low RDS(on) Power MOSFET Transistor, Fully Avalanche Rated Hermetic Ceramic Surface Mount package Designed For Fast Switching Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage -100V VGS Gate Source Voltage 20V ID Tc = 25C Continuou

Otros transistores... IRFN140SMD , IRFN150SMD , IRFN214BTAFP001 , IRFN240SMD , IRFN250SMD , IRFN254 , IRFN340SMD , IRFN3710 , SKD502T , IRFN9130SMD05 , IRFN9530 , IRFNG40 , IRFNG50 , IRFNJ130 , IRFNJ5305 , IRFNJ540 , IRFNJ9130 .

History: NTHD4N02FT1 | 2SK3645-01MR | DTU40N06

 

 
Back to Top

 


 
.