IRFN5210 - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFN5210 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFN5210
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SMD1
 

 Аналог (замена) для IRFN5210

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFN5210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:454K  semelab
 irfn5210.pdf pdf_icon

IRFN5210

P-CHANNEL POWER MOSFET IRFN5210 Low RDS(on) Power MOSFET Transistor, Fully Avalanche Rated Hermetic Ceramic Surface Mount package Designed For Fast Switching Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage -100V VGS Gate Source Voltage 20V ID Tc = 25C Continuou

Другие MOSFET... IRFN140SMD , IRFN150SMD , IRFN214BTAFP001 , IRFN240SMD , IRFN250SMD , IRFN254 , IRFN340SMD , IRFN3710 , 12N60 , IRFN9130SMD05 , IRFN9530 , IRFNG40 , IRFNG50 , IRFNJ130 , IRFNJ5305 , IRFNJ540 , IRFNJ9130 .

History: BSC014N03LS | OSS60R099JF | LSGG04R028 | BSB280N15NZ3G | DH060N03R | QS5U21 | OSS60R099KF

 

 
Back to Top

 


 
.