IRFN5210. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFN5210

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SMD1

Аналог (замена) для IRFN5210

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFN5210 даташит

 ..1. Size:454K  semelab
 irfn5210.pdf pdf_icon

IRFN5210

P-CHANNEL POWER MOSFET IRFN5210 Low RDS(on) Power MOSFET Transistor, Fully Avalanche Rated Hermetic Ceramic Surface Mount package Designed For Fast Switching Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage -100V VGS Gate Source Voltage 20V ID Tc = 25 C Continuou

Другие IGBT... IRFN140SMD, IRFN150SMD, IRFN214BTAFP001, IRFN240SMD, IRFN250SMD, IRFN254, IRFN340SMD, IRFN3710, STP75NF75, IRFN9130SMD05, IRFN9530, IRFNG40, IRFNG50, IRFNJ130, IRFNJ5305, IRFNJ540, IRFNJ9130