Справочник MOSFET. IRFN5210

 

IRFN5210 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFN5210
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 86 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SMD1
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFN5210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:454K  semelab
 irfn5210.pdf pdf_icon

IRFN5210

P-CHANNEL POWER MOSFET IRFN5210 Low RDS(on) Power MOSFET Transistor, Fully Avalanche Rated Hermetic Ceramic Surface Mount package Designed For Fast Switching Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage -100V VGS Gate Source Voltage 20V ID Tc = 25C Continuou

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: TMA7N90 | SQJ460AEP | SK50N06A | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.