IRFNG40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFNG40
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SMD1
Búsqueda de reemplazo de IRFNG40 MOSFET
IRFNG40 Datasheet (PDF)
irfng40.pdf
PD - 91555AIRFNG40POWER MOSFET1000V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-1)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFNG40 3.5 3.9AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-SMD-1sistance combined with high transconductance.
irfng50.pdf
PD - 91556AIRFNG50POWER MOSFET1000V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-1)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFNG50 2.0 5.5AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-SMD-1sistance combined with high transconductance.
Otros transistores... IRFN240SMD , IRFN250SMD , IRFN254 , IRFN340SMD , IRFN3710 , IRFN5210 , IRFN9130SMD05 , IRFN9530 , IRF4905 , IRFNG50 , IRFNJ130 , IRFNJ5305 , IRFNJ540 , IRFNJ9130 , IRFNJZ48 , IRFNL210BTAFP001 , IRFIZ14G .
Liste
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