IRFNG40 Todos los transistores

 

IRFNG40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFNG40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD1
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFNG40 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFNG40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  international rectifier
 irfng40.pdf pdf_icon

IRFNG40

PD - 91555AIRFNG40POWER MOSFET1000V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-1)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFNG40 3.5 3.9AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-SMD-1sistance combined with high transconductance.

 9.1. Size:481K  international rectifier
 irfng50.pdf pdf_icon

IRFNG40

PD - 91556AIRFNG50POWER MOSFET1000V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-1)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFNG50 2.0 5.5AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-SMD-1sistance combined with high transconductance.

Otros transistores... IRFN240SMD , IRFN250SMD , IRFN254 , IRFN340SMD , IRFN3710 , IRFN5210 , IRFN9130SMD05 , IRFN9530 , IRF4905 , IRFNG50 , IRFNJ130 , IRFNJ5305 , IRFNJ540 , IRFNJ9130 , IRFNJZ48 , IRFNL210BTAFP001 , IRFIZ14G .

History: ST2342 | SM1A11NSF | PTA04N100 | SQM120N02-1M3L | RUH1H150S-AR | FIR120N055PG

 

 
Back to Top

 


 
.