Справочник MOSFET. IRFNG40

 

IRFNG40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFNG40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SMD1
 

 Аналог (замена) для IRFNG40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFNG40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  international rectifier
 irfng40.pdf pdf_icon

IRFNG40

PD - 91555AIRFNG40POWER MOSFET1000V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-1)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFNG40 3.5 3.9AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-SMD-1sistance combined with high transconductance.

 9.1. Size:481K  international rectifier
 irfng50.pdf pdf_icon

IRFNG40

PD - 91556AIRFNG50POWER MOSFET1000V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-1)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFNG50 2.0 5.5AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-SMD-1sistance combined with high transconductance.

Другие MOSFET... IRFN240SMD , IRFN250SMD , IRFN254 , IRFN340SMD , IRFN3710 , IRFN5210 , IRFN9130SMD05 , IRFN9530 , IRF4905 , IRFNG50 , IRFNJ130 , IRFNJ5305 , IRFNJ540 , IRFNJ9130 , IRFNJZ48 , IRFNL210BTAFP001 , IRFIZ14G .

History: HM2N70 | CSD25213W10 | APT6038BLL | AUIRFBA1405P | SRC65R100B | SIB433EDK | AP70T03GJ

 

 
Back to Top

 


 
.