IRFNL210BTAFP001 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFNL210BTAFP001
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92L
Búsqueda de reemplazo de IRFNL210BTAFP001 MOSFET
IRFNL210BTAFP001 Datasheet (PDF)
irfnl210bta fp001.pdf

IRFNL210B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.0A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchingmi
Otros transistores... IRFN9530 , IRFNG40 , IRFNG50 , IRFNJ130 , IRFNJ5305 , IRFNJ540 , IRFNJ9130 , IRFNJZ48 , IRF9540N , IRFIZ14G , IRFIZ14GPBF , IRFIZ24EPBF , IRFIZ24G , IRFIZ24GPBF , IRFIZ24NPBF , IRFIZ34G , IRFIZ34GPBF .
History: IPI50R299CP | WMP07N60C4
History: IPI50R299CP | WMP07N60C4



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet