IRFNL210BTAFP001 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFNL210BTAFP001

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO92L

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IRFNL210BTAFP001 datasheet

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IRFNL210BTAFP001

IRFNL210B 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.0A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast switching mi

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