Справочник MOSFET. IRFNL210BTAFP001

 

IRFNL210BTAFP001 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFNL210BTAFP001
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO92L
 

 Аналог (замена) для IRFNL210BTAFP001

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFNL210BTAFP001 Datasheet (PDF)

 3.1. Size:678K  fairchild semi
 irfnl210bta fp001.pdf pdf_icon

IRFNL210BTAFP001

IRFNL210B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.0A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchingmi

Другие MOSFET... IRFN9530 , IRFNG40 , IRFNG50 , IRFNJ130 , IRFNJ5305 , IRFNJ540 , IRFNJ9130 , IRFNJZ48 , IRF9540N , IRFIZ14G , IRFIZ14GPBF , IRFIZ24EPBF , IRFIZ24G , IRFIZ24GPBF , IRFIZ24NPBF , IRFIZ34G , IRFIZ34GPBF .

History: MTN12N30FP | NCEP025F90D

 

 
Back to Top

 


 
.