IRFNL210BTAFP001. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFNL210BTAFP001

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO92L

Аналог (замена) для IRFNL210BTAFP001

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFNL210BTAFP001 даташит

 3.1. Size:678K  fairchild semi
 irfnl210bta fp001.pdf pdf_icon

IRFNL210BTAFP001

IRFNL210B 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.0A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast switching mi

Другие IGBT... IRFN9530, IRFNG40, IRFNG50, IRFNJ130, IRFNJ5305, IRFNJ540, IRFNJ9130, IRFNJZ48, SKD502T, IRFIZ14G, IRFIZ14GPBF, IRFIZ24EPBF, IRFIZ24G, IRFIZ24GPBF, IRFIZ24NPBF, IRFIZ34G, IRFIZ34GPBF