IRFIZ34GPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFIZ34GPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFIZ34GPBF datasheet

 ..1. Size:2985K  international rectifier
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IRFIZ34GPBF

IRFIZ34G, SiHFIZ34G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.050 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 46 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 22 Low T

 ..2. Size:1301K  international rectifier
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IRFIZ34GPBF

PD - 94861 IRFIZ34GPbF Lead-Free 12/03/03 Document Number 91188 www.vishay.com 1 IRFIZ34GPbF Document Number 91188 www.vishay.com 2 IRFIZ34GPbF Document Number 91188 www.vishay.com 3 IRFIZ34GPbF Document Number 91188 www.vishay.com 4 IRFIZ34GPbF Document Number 91188 www.vishay.com 5 IRFIZ34GPbF Document Number 91188 www.vishay.com 6 IRFIZ34GPbF TO-220 Full

 6.1. Size:273K  international rectifier
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IRFIZ34GPBF

 6.2. Size:2984K  vishay
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IRFIZ34GPBF

IRFIZ34G, SiHFIZ34G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.050 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 46 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 22 Low T

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