Справочник MOSFET. IRFIZ34GPBF

 

IRFIZ34GPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFIZ34GPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRFIZ34GPBF

 

 

IRFIZ34GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2985K  international rectifier
 irfiz34g irfiz34gpbf.pdf

IRFIZ34GPBF IRFIZ34GPBF

IRFIZ34G, SiHFIZ34GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.050f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 46 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 11 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 22 Low T

 ..2. Size:1301K  international rectifier
 irfiz34gpbf.pdf

IRFIZ34GPBF IRFIZ34GPBF

PD - 94861IRFIZ34GPbF Lead-Free12/03/03Document Number: 91188 www.vishay.com1IRFIZ34GPbFDocument Number: 91188 www.vishay.com2IRFIZ34GPbFDocument Number: 91188 www.vishay.com3IRFIZ34GPbFDocument Number: 91188 www.vishay.com4IRFIZ34GPbFDocument Number: 91188 www.vishay.com5IRFIZ34GPbFDocument Number: 91188 www.vishay.com6IRFIZ34GPbFTO-220 Full

 6.1. Size:273K  international rectifier
 irfiz34g.pdf

IRFIZ34GPBF IRFIZ34GPBF

 6.2. Size:2984K  vishay
 irfiz34g sihfiz34g.pdf

IRFIZ34GPBF IRFIZ34GPBF

IRFIZ34G, SiHFIZ34GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.050f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 46 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 11 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 22 Low T

 6.3. Size:275K  inchange semiconductor
 irfiz34g.pdf

IRFIZ34GPBF IRFIZ34GPBF

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFIZ34GFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) 50m @V =10VGSEnhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top