IXZR16N60B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXZR16N60B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 350 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.53 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS247

 Búsqueda de reemplazo de IXZR16N60B MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXZR16N60B datasheet

 ..1. Size:163K  ixys
 ixzr16n60a ixzr16n60b.pdf pdf_icon

IXZR16N60B

IXZR16N60 & IXZR16N60A/B Z-MOS RF Power MOSFET NChannel Enhancement Mode N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Qg and Rg Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 600 V High dv/dt Optimized for RF Operation Nanosecond Switching Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 18 A Symbol Test Conditions Maximum Ratings RDS(on) 0.56

 9.1. Size:160K  ixys
 ixzr18n50a ixzr18n50b.pdf pdf_icon

IXZR16N60B

IXZR18N50 & IXZR18N50A/B Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 500 V Optimized for RF Operation Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 19 A RDS(on) 0.37 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ = 25 C to 150 C VDSS 500 V PDC = 350 W TJ = 25 C to 150 C; RGS

Otros transistores... IRFP31N50LPBF, IRFP3206PBF, IRFP32N50K, IRFP32N50KPBF, IRFP3306PBF, IRFP340PBF, IXZR18N50B, IXZR18N50A, STP80NF70, IXZR16N60A, IXZR08N120B, IXZR08N120A, IXZH10N50LB, IXZH10N50LA, IXZ318N50, IXZ316N60, IXZ308N120